SK海力士介绍238层4DNAND闪存:传输速度提升50%,能耗减少21

来源:IT之家
发布时间:2022-08-05 09:00   阅读量:5021   

今天早些时候,SK海力士正式公布了全球首款238层512Gb TLC 4D NAND闪存,将于明年上半年投入量产现在,SK海力士正式发文介绍其最新技术

据介绍,SK海力士238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层的同时,实现了世界最小面积。

SK海力士在2018年开发的96层NAND闪存超越了传统的3D模式,引入了4D模式为了成功开发具有4D架构的芯片,该公司采用了电荷俘获技术和PUC 技术与3D模式相比,4D建筑具有单位面积更小,生产效率更高的优势

官方称,新产品的单位面积密度更高,可以用其更小的面积在相同尺寸的硅片上生产更多的芯片,因此其生产效率也比176层NAND闪存提高了34%。

此外,238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps,比上一代提升了50%,芯片读取数据时的能耗也降低了21%。

本站了解到,SK海力士计划首先为cSSD供应238层NAND闪存,然后逐步将进口范围扩大到智能手机和大容量服务器SSDSK海力士也将在明年发布1Tb密度的238层NAND闪存新产品

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